IPD95R450P7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPD95R450P7
|
|
حجم فایل
|
78.946
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
14
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPD95R450P7ATMA1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
104W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
35nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
950V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
1053pF@400V
-
Continuous Drain Current (Id):
14A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.5V@360uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
450mΩ@7.2A,10V
-
Package:
TO-252
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
